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快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N 型硅材料中间增加了基区1,构 成 P-I-N 硅片,由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了t值,还降低了瞬态正向 压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向 压降约为 0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二 极管的反向恢复电荷进一步减小,使其 trr可低至几十纳秒。
快恢复二极管,英文缩写为FRD,是一种具有快速恢复特性的二极管。相较于普通二极管,其反向恢复时间更短,能够适应高频和的工作环境。快恢复二极管的主要由两个PN结组成,同时加上定向的掺杂使得它的工作性质发生了改变,可以在高频连续反向偏置能下实现快速恢复。
高压整流二极管的工作原理是利用PN结的单向导电特性。当正向偏压加在二极管上时,PN结导通,电流能够顺利通过;而当反向偏压加在二极管上时,PN结截止,电流无法通过。这种特性使得高压整流二极管能够将交流电转换为单向脉动的直流电。在电力传输、电子设备电源等领域广泛应用。
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主要产品有LowVF肖特基、碳化硅、氮化镓、FRED超快恢复二极管、高压双向触发二极管、大功率稳压二极管、可控硅、TVS瞬态抑制管、合金软桥。各种封装包括:DO系列、17-02。贴 片系列有SMA、SMAF、SMB、SMBF、SMC、S8M、TO-277B、ABS、MSB、DB、HBS、YBS。PDFN5*6-8L、TO-251、TO-252、TO-220、TO-262、TO-263、TO-247。整流桥GBP、KBP、D3K、GBU、GBJ、KBL、系列等。产品广泛用于交通、通讯,电脑、家用电器、玩具等数码电子产品等多个领域。
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